IPDD60R080G7XTMA1 Preços (USD) [25034pcs Estoque]
- 1 pcs$1.64624
- Número da peça:
- IPDD60R080G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IPDD60R080G7XTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPDD60R080G7XTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
Series :
CoolMOS™ G7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 490µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1640pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
174W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HDSOP-10-1
Pacote / caso :
10-PowerSOP Module
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