ON Semiconductor - NVTR4502PT1G

KEY Part #: K6416863

NVTR4502PT1G Preços (USD) [596208pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06204
  • 3,000 pcs$0.06001

Número da peça:
NVTR4502PT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTR4502PT1G Atributos do produto

Número da peça : NVTR4502PT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 400mW (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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