[2203pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFH4213TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH4213TRPBF electronic components. IRFH4213TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH4213TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH4213TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH4213TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
41A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3420pF @ 13V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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