ON Semiconductor - NTLUS3C18PZTBG

KEY Part #: K6393268

NTLUS3C18PZTBG Preços (USD) [209407pcs Estoque]

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Número da peça:
NTLUS3C18PZTBG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLUS3C18PZTBG Atributos do produto

Número da peça : NTLUS3C18PZTBG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1570pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 660mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-UDFN (1.6x1.6)
Pacote / caso : 6-PowerUFDFN

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