Nexperia USA Inc. - PMZB1200UPEYL

KEY Part #: K6421665

PMZB1200UPEYL Preços (USD) [1418494pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02608
  • 10,000 pcs$0.02283

Número da peça:
PMZB1200UPEYL
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V SOT883.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB1200UPEYL Atributos do produto

Número da peça : PMZB1200UPEYL
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET P-CH 30V SOT883
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 410mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 43.2pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1006B-3
Pacote / caso : 3-XFDFN

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