IPAW60R600P7SXKSA1 Preços (USD) [85018pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.39594
- 100 pcs$0.29611
- 500 pcs$0.22963
- 1,000 pcs$0.18129
- Número da peça:
- IPAW60R600P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IPAW60R600P7SXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPAW60R600P7SXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
363pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
21W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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