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  5. APT34F100B2

Microsemi Corporation - APT34F100B2

KEY Part #: K6394497

APT34F100B2 Preços (USD) [4849pcs Estoque]

  • 1 pcs$9.87588
  • 30 pcs$9.82675
Número da peça:
APT34F100B2
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APT34F100B2 electronic components. APT34F100B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT34F100B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT34F100B2 Atributos do produto

Número da peça : APT34F100B2
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Series : POWER MOS 8™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 305nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9835pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1135W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : T-MAX™ [B2]
Pacote / caso : TO-247-3 Variant

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