AUIRFN7110TR Preços (USD) [2946pcs Estoque]
- 4,000 pcs$0.48429
- Número da peça:
- AUIRFN7110TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 100V 58A PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRFN7110TR electronic components. AUIRFN7110TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFN7110TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRFN7110TR Atributos do produto
Número da peça :
AUIRFN7110TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET NCH 100V 58A PQFN
Series :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3050pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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