IPP80R900P7XKSA1 Preços (USD) [55012pcs Estoque]
- 1 pcs$0.75676
- 10 pcs$0.67105
- 100 pcs$0.53028
- 500 pcs$0.41123
- 1,000 pcs$0.30710
- Número da peça:
- IPP80R900P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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IPP80R900P7XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP80R900P7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 110µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
45W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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