TK2Q60D(Q) Preços (USD) [144926pcs Estoque]
- 1 pcs$0.28215
- 200 pcs$0.28075
- Número da peça:
- TK2Q60D(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK2Q60D(Q) electronic components. TK2Q60D(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK2Q60D(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK2Q60D(Q) Atributos do produto
Número da peça :
TK2Q60D(Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Series :
π-MOSVII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PW-MOLD2
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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