Diodes Incorporated - DMN63D1L-7

KEY Part #: K6404857

DMN63D1L-7 Preços (USD) [1802996pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02051
  • 3,000 pcs$0.01901

Número da peça:
DMN63D1L-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN63D1L-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN63D1L-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 380mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 370mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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