Vishay Siliconix - IRFP31N50LPBF

KEY Part #: K6398919

IRFP31N50LPBF Preços (USD) [12988pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.75614
  • 100 pcs$2.25987
  • 500 pcs$1.82993
  • 1,000 pcs$1.54331

Número da peça:
IRFP31N50LPBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP31N50LPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFP31N50LPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 210nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 460W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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