Infineon Technologies - BSP298H6327XUSA1

KEY Part #: K6402078

BSP298H6327XUSA1 Preços (USD) [140209pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.26380
  • 1,000 pcs$0.20015

Número da peça:
BSP298H6327XUSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP298H6327XUSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSP298H6327XUSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
Series : SIPMOS®
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 400V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 500mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT223-4
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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