Infineon Technologies - IRFH5025TRPBF

KEY Part #: K6418303

IRFH5025TRPBF Preços (USD) [58915pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.66368
  • 4,000 pcs$0.63713

Número da peça:
IRFH5025TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH5025TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFH5025TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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