[13147pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXFN66N50Q2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN66N50Q2 electronic components. IXFN66N50Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN66N50Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN66N50Q2 Atributos do produto
Número da peça :
IXFN66N50Q2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
66A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
199nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6800pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
735W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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