Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K781G,LF

KEY Part #: K6416605

SSM6K781G,LF Preços (USD) [548511pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07455
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Número da peça:
SSM6K781G,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6K781G,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM6K781G,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Series : U-MOSVII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.6W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-WCSPC (1.5x1.0)
Pacote / caso : 6-UFBGA, WLCSP

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