ON Semiconductor - FQA160N08

KEY Part #: K6398685

FQA160N08 Preços (USD) [12970pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.17745
  • 450 pcs$2.18924

Número da peça:
FQA160N08
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQA160N08 Atributos do produto

Número da peça : FQA160N08
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 290nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

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