FDB8880 Preços (USD) [3014pcs Estoque]
- 800 pcs$0.24085
- Número da peça:
- FDB8880
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDB8880 electronic components. FDB8880 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB8880, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDB8880 Atributos do produto
Número da peça :
FDB8880
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 54A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1240pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
55W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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