ON Semiconductor - FDB0300N1007L

KEY Part #: K6399244

FDB0300N1007L Preços (USD) [27210pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.52224
  • 800 pcs$1.51466

Número da peça:
FDB0300N1007L
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB0300N1007L Atributos do produto

Número da peça : FDB0300N1007L
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8295pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263)
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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