IRF2807PBF Preços (USD) [54689pcs Estoque]
- 1 pcs$0.77349
- 10 pcs$0.68443
- 100 pcs$0.54085
- 500 pcs$0.41944
- 1,000 pcs$0.31324
- Número da peça:
- IRF2807PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IRF2807PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF2807PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
82A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3820pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
230W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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