ON Semiconductor - FQP70N10

KEY Part #: K6392738

FQP70N10 Preços (USD) [37709pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.00344
  • 10 pcs$0.90728
  • 100 pcs$0.72892
  • 500 pcs$0.56694
  • 1,000 pcs$0.46974

Número da peça:
FQP70N10
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP70N10 Atributos do produto

Número da peça : FQP70N10
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 57A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 160W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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