TK1K2A60F,S4X Preços (USD) [89066pcs Estoque]
- 1 pcs$0.43900
- Número da peça:
- TK1K2A60F,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TK1K2A60F,S4X Atributos do produto
Número da peça :
TK1K2A60F,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Series :
U-MOSIX
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 630µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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