Rohm Semiconductor - RE1J002YNTCL

KEY Part #: K6417133

RE1J002YNTCL Preços (USD) [1505981pcs Estoque]

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Número da peça:
RE1J002YNTCL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RE1J002YNTCL Atributos do produto

Número da peça : RE1J002YNTCL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0.9V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 26pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : EMT3F (SOT-416FL)
Pacote / caso : SC-89, SOT-490

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