IPB108N15N3GATMA1 Preços (USD) [39517pcs Estoque]
- 1 pcs$0.98944
- Número da peça:
- IPB108N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
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IPB108N15N3GATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPB108N15N3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
83A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.8 mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 160µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3230pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
214W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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