FQU20N06LTU Preços (USD) [89066pcs Estoque]
- 1 pcs$0.51008
- 10 pcs$0.45029
- 100 pcs$0.33673
- 500 pcs$0.26112
- 1,000 pcs$0.20615
- Número da peça:
- FQU20N06LTU
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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FQU20N06LTU Atributos do produto
Número da peça :
FQU20N06LTU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
630pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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