Rohm Semiconductor - SCT2120AFC

KEY Part #: K6409222

SCT2120AFC Preços (USD) [6875pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.99715
  • 100 pcs$3.81294

Número da peça:
SCT2120AFC
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT2120AFC Atributos do produto

Número da peça : SCT2120AFC
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 3.3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 18V
Vgs (máx.) : +22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 500V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 165W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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