SCT2120AFC Preços (USD) [6875pcs Estoque]
- 1 pcs$3.99715
- 100 pcs$3.81294
- Número da peça:
- SCT2120AFC
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT2120AFC electronic components. SCT2120AFC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT2120AFC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT2120AFC Atributos do produto
Número da peça :
SCT2120AFC
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 3.3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
61nC @ 18V
Vgs (máx.) :
+22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
165W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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