STD7NM80-1 Preços (USD) [64847pcs Estoque]
- 1 pcs$0.60298
- 3,000 pcs$0.53458
- Número da peça:
- STD7NM80-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STD7NM80-1 electronic components. STD7NM80-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD7NM80-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD7NM80-1 Atributos do produto
Número da peça :
STD7NM80-1
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Series :
MDmesh™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
90W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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