DMN3025LSS-13 Preços (USD) [628883pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05881
- Número da peça:
- DMN3025LSS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3025LSS-13 electronic components. DMN3025LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3025LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3025LSS-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3025LSS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
641pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.4W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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