Infineon Technologies - BSS308PEH6327XTSA1

KEY Part #: K6418069

BSS308PEH6327XTSA1 Preços (USD) [711026pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05202
  • 3,000 pcs$0.03665

Número da peça:
BSS308PEH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS308PEH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS308PEH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 11µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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