CSD18502KCS Preços (USD) [41564pcs Estoque]
- 1 pcs$1.04107
- 10 pcs$0.93863
- 100 pcs$0.75438
- 500 pcs$0.58673
- 1,000 pcs$0.48615
- Número da peça:
- CSD18502KCS
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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CSD18502KCS Atributos do produto
Número da peça :
CSD18502KCS
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4680pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
259W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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