STMicroelectronics - STW30NM50N

KEY Part #: K6398333

STW30NM50N Preços (USD) [9389pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.38937
  • 10 pcs$3.95176
  • 100 pcs$3.24919

Número da peça:
STW30NM50N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW30NM50N Atributos do produto

Número da peça : STW30NM50N
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
Series : MDmesh™ II
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 94nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2740pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 190W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3