DMG4N65CTI Preços (USD) [76194pcs Estoque]
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- 50 pcs$0.30208
- 100 pcs$0.26313
- 500 pcs$0.19490
- 1,000 pcs$0.15592
- Número da peça:
- DMG4N65CTI
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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DMG4N65CTI Atributos do produto
Número da peça :
DMG4N65CTI
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
8.35W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ITO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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