SPA11N60C3XKSA1 Preços (USD) [47064pcs Estoque]
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- 10 pcs$1.29257
- 100 pcs$0.98534
- 500 pcs$0.76637
- 1,000 pcs$0.63499
- Número da peça:
- SPA11N60C3XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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SPA11N60C3XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPA11N60C3XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
33W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3-31 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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