BSC080P03LSGAUMA1 Preços (USD) [101095pcs Estoque]
- 1 pcs$0.38677
- Número da peça:
- BSC080P03LSGAUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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BSC080P03LSGAUMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC080P03LSGAUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16A (Ta), 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
122.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6140pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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