[12843pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLMS5703TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLMS5703TR electronic components. IRLMS5703TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLMS5703TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLMS5703TR Atributos do produto
Número da peça :
IRLMS5703TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
170pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.7W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Micro6™(SOT23-6)
Pacote / caso :
SOT-23-6
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