SIDR610DP-T1-GE3 Preços (USD) [48704pcs Estoque]
- 1 pcs$0.80281
- Número da peça:
- SIDR610DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 electronic components. SIDR610DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDR610DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIDR610DP-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIDR610DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1380pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8DC
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8
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