SPB11N60C3ATMA1 Preços (USD) [53599pcs Estoque]
- 1 pcs$0.72951
- Número da peça:
- SPB11N60C3ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPB11N60C3ATMA1 electronic components. SPB11N60C3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB11N60C3ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPB11N60C3ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPB11N60C3ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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