ON Semiconductor - HUF76609D3ST

KEY Part #: K6392652

HUF76609D3ST Preços (USD) [225667pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.16472
  • 2,500 pcs$0.16390

Número da peça:
HUF76609D3ST
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HUF76609D3ST Atributos do produto

Número da peça : HUF76609D3ST
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Series : UltraFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 425pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 49W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252AA
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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