Rohm Semiconductor - RD3S075CNTL1

KEY Part #: K6393170

RD3S075CNTL1 Preços (USD) [127055pcs Estoque]

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Número da peça:
RD3S075CNTL1
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
NCH 190V 7.5A POWER MOSFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3S075CNTL1 Atributos do produto

Número da peça : RD3S075CNTL1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : NCH 190V 7.5A POWER MOSFET
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 190V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 52W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63