IRFR8314TRPBF Preços (USD) [150392pcs Estoque]
- 1 pcs$0.24594
- 2,000 pcs$0.23608
- Número da peça:
- IRFR8314TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR8314TRPBF electronic components. IRFR8314TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR8314TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR8314TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFR8314TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4945pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-PAK (TO-252AA)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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