RW1E025RPT2CR Preços (USD) [1208286pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03384
- 8,000 pcs$0.03367
- Número da peça:
- RW1E025RPT2CR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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RW1E025RPT2CR Atributos do produto
Número da peça :
RW1E025RPT2CR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-WEMT
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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