Rohm Semiconductor - RW1C025ZPT2CR

KEY Part #: K6421579

RW1C025ZPT2CR Preços (USD) [861948pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04744
  • 8,000 pcs$0.04720

Número da peça:
RW1C025ZPT2CR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RW1C025ZPT2CR Atributos do produto

Número da peça : RW1C025ZPT2CR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-WEMT
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666