Infineon Technologies - IRL3302S

KEY Part #: K6414744

[12649pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRL3302S
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IRL3302S electronic components. IRL3302S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL3302S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL3302S Atributos do produto

    Número da peça : IRL3302S
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 39A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 7V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 23A, 7V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 15V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 57W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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