RQ6C050UNTR Preços (USD) [615676pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06008
- 3,000 pcs$0.05384
- Número da peça:
- RQ6C050UNTR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 5A TSMT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ6C050UNTR electronic components. RQ6C050UNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ6C050UNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ6C050UNTR Atributos do produto
Número da peça :
RQ6C050UNTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.25W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSMT6 (SC-95)
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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