IXYS - IXTH6N90A

KEY Part #: K6415987

IXTH6N90A Preços (USD) [11347pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.19740
  • 30 pcs$4.17651

Número da peça:
IXTH6N90A
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH6N90A Atributos do produto

Número da peça : IXTH6N90A
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 180W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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