PMV35EPER Preços (USD) [838757pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04410
- 3,000 pcs$0.03915
- Número da peça:
- PMV35EPER
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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PMV35EPER Atributos do produto
Número da peça :
PMV35EPER
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
793pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-236AB
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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