[13552pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF1312PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF1312PBF electronic components. IRF1312PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF1312PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF1312PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF1312PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
95A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 57A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5450pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 210W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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