Microsemi Corporation - APT40SM120S

KEY Part #: K6402718

APT40SM120S Preços (USD) [2607pcs Estoque]

  • 1 pcs$13.88047
  • 10 pcs$12.83851
  • 25 pcs$11.79729
  • 100 pcs$10.96460

Número da peça:
APT40SM120S
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT40SM120S Atributos do produto

Número da peça : APT40SM120S
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 41A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA (Typ)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 20V
Vgs (máx.) : +25V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2560pF @ 1000V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 273W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D3Pak
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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