[2485pcs Estoque]
- Número da peça:
- UPA2766T1A-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 130A 8SON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America UPA2766T1A-E1-AY electronic components. UPA2766T1A-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2766T1A-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UPA2766T1A-E1-AY Atributos do produto
Número da peça :
UPA2766T1A-E1-AY
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
130A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.82 mOhm @ 39A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
257nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10850pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HVSON (5.4x5.15)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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