ON Semiconductor - NVC3S5A51PLZT1G

KEY Part #: K6416237

NVC3S5A51PLZT1G Preços (USD) [371572pcs Estoque]

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Número da peça:
NVC3S5A51PLZT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor NVC3S5A51PLZT1G electronic components. NVC3S5A51PLZT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVC3S5A51PLZT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVC3S5A51PLZT1G Atributos do produto

Número da peça : NVC3S5A51PLZT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 262pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-CPH
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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